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下一代ARM處理器頻率可達3GHz,提速30%、功耗降25%

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發表於 2013-7-9 18:17:34 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
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目前的ARM處理器還處在40nm向28nm工藝升級的狀態,已知的性能最強、頻率最高的ARM處理器是驍龍800,頻率2.3GHz,TSMC 28nm HPM工藝生產。不過下一代ARM處理器將使用20nm工藝,頻率可達3GHz,頻率提升30%,而功耗會降低25%。





  Fudzilla報導稱,為了製造出更先進的處理器,下一代ARM至少要使用20nm工藝生產。在20nm節點,TSMC承諾新工藝製造的處理器速度可提升30%,功耗降低25%,同時電晶體密度比前代高1.9倍。

  30%的速度提升意味著下一代ARM處理器最高頻率可達到3GHz左右,而更高的電晶體密度意味著未來的ARM處理器可集成性能更高的GPU,也許這就是NVIDIA未來Kepler架構的Tegra 5(代號Logon,金剛狼本名)要等到20nm節點的原因吧。

  功耗降低25%意味著未來的SoC處理器的續航時間提升25%(原文如此,這麼算肯定不對,處理器功耗不等於設備功耗),目前有關智慧設備最大的抱怨就是續航時間,消費者不妨將目光放在未來的20nm處理器上。

  功耗降低、性能提升也使得ARM面對X86領域的Intel、AMD有更強的競爭力,特別是在平板及可折疊設備領域。只不過Intel也不是省油的燈,TSMC的20nm工藝要等到明年才能量產,而Intel在明年底就會上馬14nm工藝的Atom處理器了,而AMD在2014年甚至有可能用上GlobalFounderies公司的14nm-XM工藝了。
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